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三星率先量產3納米芯片領先台積電及英特爾分享到：
      香港中通社6月30日電 台北消息：韓國三星電子6月30日宣布，開始量產3納米製程芯片，領先台積電及英特爾等國際競爭對手。
據報道，投入生產的3納米製程與三星既有的5納米製程相比，芯片面積縮小16%，用電可節約45%，性能提高23%。明年預計引入的下一世代技術的3納米製程將可進一步節約電力至50%，提高性能30%，縮小芯片面積35%。 三星電子表示，三星這次應用3納米製程領先全球，今後還將積極開發與其他業者差別化的技術，構建快速提高製程成熟度的系統。 根據調研機構統計，今年第一季全球晶圓代工市佔率由台積電以53.6%高居第一，三星電子以16.3%位居第二。三星可能希望藉這次率先推出3納米製程，追上最大勁敵台積電。 在此之前，三星與台積電的最尖端製程皆為4納米。台積電先前表示，將在今年下半年開始量產3納米製程芯片。三星繼這次3納米製程投入量產後，規劃在2025年投入2納米製程。（完） 相關新聞
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