香港第三代半導體邁新步：首條中試線啟動分享到：
      香港中通社7月30日電（香港中通社記者 徐嘉儀）香港發展新質生產力，第三代半導體是重點領域之一。30日，香港科技園公司與麻省光子技術（香港）有限公司舉行香港首條超高真空第三代半導體氮化鎵（GaN）外延片中試線啟動禮，見證香港微電子產業邁向新里程。
香港特區政府創新科技及工業局局長孫東教授今日（七月三十日）於第三代半導體氮化鎵（GaN）外延片中試線啟動禮上致辭 全球半導體產業正急速發展，規模預計在2030年可超過一萬億美元，潛力無限。氮化鎵外延工藝是發展第三代半導體的關鍵技術，能優化產品性能，提升穩定性，為行業帶來革命性突破。 據介紹，麻省光子技術計劃於香港科學園設立全港首個第三代半導體氮化鎵外延工藝全球研發中心，並於創新園開設首條超高真空量產型氮化鎵外延片中試線，預計將在香港投資至少2億港元，帶動第三代半導體產業鏈發展。 當天的活動上，由香港特區政府創新科技及工業局局長孫東、副局長張曼莉、引進重點企業辦公室副總裁（先進製造及新能源科技）王國藩等見證合作協議簽署儀式。 孫東致辭指，特區政府以產業導向為原則，積極推進微電子產業發展。香港微電子研發院將於今年內成立，並設立碳化硅和氮化鎵兩條中試線，協助企業進行試產、測試和認證，促進產、學、研合作。這次麻省光子技術落戶香港確切回應了發展戰略，特區政府會繼續引入更多優秀的科技企業來港發展和投資，發揮協同效應，讓微電子及其他科技產業在香港做大做強。 作為首家進駐香港的氮化鎵外延技術公司，麻省光子技術為何選擇香港？ “我們希望在技術密集、人才密集以及資本密集的環境來求發展，香港非常好地滿足了這三個要素。”該公司行政總裁廖翊韬接受記者採訪時形容，香港擁有“世界頂尖的新技術孵化的環境”，對於專利技術的保護以及專利產權的稅務優惠，可以說在全世界是獨一無二的。 此外，是香港的國際化特點和人才儲備。廖翊韬說，不管最後生產的是什麼類型的產品，始終要面向全球化市場。而香港在這方面擁有不可替代的優勢，因此無論是研發、產品開發和行銷等領域，公司都會特別關注香港的人才。 麻省光子技術目前在內地設有工廠。廖翊韬說，來香港投放的中試線希望能在現有量產水平基礎上進一步提升研發和中試能力，特別是結合香港微電子專家現有的技術進行聯合研發，確保在全球市場的競爭力和技術領先性。 麻省光子技術將聯合香港微電子專家開發下游的氮化鎵光電子和功率半導體器件。通過新產品的中試研發和孵化，建立前沿、完整的超高真空氮化鎵外延技術和產品專利包，目標是三年內完成中試並啟動在香港的氨化鎵外延量產產線建設，實現年產1萬片8寸氨化鎵晶圓產能，將香港製造的外延片產品推向全球市場。（完） 【編輯：馬華】
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